Start für „UltimateGaN“
Infineon forscht an Energiesparchips aus neuem Material

 Olivier Lambinet, ECSEL Joint Undertaking, Andreas Urschitz, Leiter der Sparte Power Management & Multimarket Infineon Technologies AG, Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende Infineon Technologies Austria AG, Peter Kaiser, Landeshauptmann von Kärnten und Michael Wiesmüller, Bundesministerium für Verkehr, Innovation und Technologie mit einem Galliumnitrid-Wafer.
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  • Olivier Lambinet, ECSEL Joint Undertaking, Andreas Urschitz, Leiter der Sparte Power Management & Multimarket Infineon Technologies AG, Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende Infineon Technologies Austria AG, Peter Kaiser, Landeshauptmann von Kärnten und Michael Wiesmüller, Bundesministerium für Verkehr, Innovation und Technologie mit einem Galliumnitrid-Wafer.
  • Foto: Infineon Technologies Austria
  • hochgeladen von Alexandra Wrann

Energiesparchips aus neuem Material als Turbo für erneuerbare Energie, Elektromobilität und CO2-Einsparung

VILLACH. Unter der Leitung von Infineon Austria fiel heute der Startschuss für das europäische Forschungsprojekt UltimateGaN (Research for GaN technologies, devices and applications to address the challenges of the futureGaN roadmap). 26 Partner aus neun Ländern forschen in den kommenden drei Jahren an der nächsten Energiesparchip-Generation basierend auf dem neuen Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN). Ziel ist es, diese Leistungshalbleiter zu wettbewerbsfähigen Kosten für eine Vielzahl von Anwendungen bereitzustellen. Damit leistet das Projekt einen wichtigen Beitrag zu mehr Energieeffizienz und zur CO2-Reduktion.

48 Mio. Euro

Mit 48 Millionen Euro zählt UltimateGaN zu einem der größten europäischen Forschungsprojekte.
Der weltweite Energiebedarf steigt, Energiesparchips aus neuen Materialien wie Galliumnitrid spielen eine wichtige Rolle, den Strom effizienter zu wandeln. Dadurch spart man Energie.„Energieeffizienz ist weltweit eine der größten Energieressourcen. Mit diesem Forschungsprojekt schaffen wir die Voraussetzung, innovative Energiesparchips für viele zukunfts- relevante Alltagsanwendungen verfügbar zu machen“, sagte Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG.

"Revolutionieren die Energienutzung"

„Halbleiterprodukte aus Galliumnitrid revolutionieren die Energienutzung auf vielen Ebenen“, erklärt Andreas Urschitz, Leiter der Sparte Power Management & Multimarket der Infineon Technologies AG. "Das Forschungsprojekt eröffnet ein enormes globales Marktpotenzial (...) Schnelleres Laden von Elektroautos, Datenaustausch zwischen Anlagen, Objekten und Maschinen in Echtzeit, energiesparendes Einspeisen von Solarstrom ins Netz oder blitzschnelles Videostreamen werden Realität.“ 

Das Ziel

Ziel ist es, innovative Leistungs- und Hochfrequenzelektronik aus dem neuen Halbleitermaterial GaN zu entwickeln. Die Voraussetzungen für das Projekt wurden mit dem Forschungsprojekt „PowerBase“ in Villach geschaffen. Es gelang, die europaweit erste GaN-Pilotlinie in einem industriellen Fertigungsumfeld zu errichten und die Basisgeneration für erste Marktanwendungen zu schaffen.
Nun geht man material- und prozesstechnisch in der Forschung einen Schritt weiter: Im Fokus steht eine weitere Miniaturisierung sowie die Bereitstellung dieser Chips in hoher Qualität und zu global wettbewerbsfähigen Kosten.

Stromverluste reduziert

Durch die spezielle Materialstruktur von GaN werden höhere Leistungsdichten erzielt. Dies ermöglicht kleinere und leichtere Designs, die den Strom effizienter schalten und höhere Datenraten schneller übertragen können. Stromverluste werden bis zur Hälfte reduziert.

Einbindung erneuerbarer Energiequellen einfacher

Die Elektromobilität und intelligente Stromnetze bekommen mit dem Forschungsprojekt einen neuen Schub: Durch kleine, integrierte „On-Board“ Ladegeräte mit GaN-Chips wird das Aufladen eines Elektroautos auch zu Hause dreimal schneller erfolgen als bisher.
Dank der Leistungshalbleiter wird außerdem die Einbindung erneuerbarer Energiequellen ins Stromnetz einfacher. Auch der neue 5G Mobilfunkstandard und das ultraschnelle Laden von Videos wird ebenso unterstützt, wie eine Verkehrsflusssteuerung in Echtzeit beim autonomen Fahren oder - Stichwort Industrie 4.0 - das reibungslose Kommunizieren zwischen Maschinen.

Die Partner 

Dementsprechend breit ist auch das Konsortium mit Partnern aus Wissenschaft und Wirtschaft aufgestellt.
Mit einem Projektvolumen von rund 48 Millionen Euro zählt das Projekt zu einem der größten europäischen GaN-Forschungsvorhaben. Es wird aus Investitionen der Industrie, Förderungen der einzelnen beteiligten Länder sowie dem ECSEL Joint Undertaking (Electronic Components and Systems for European Leadership) finanziert.
An der Auftaktveranstaltung von Infineon in Villach nahmen hochrangige Projektpartner teil. Das Förderumfeld und die Politik wurden repräsentiert durch Olivier Lambinet (Head of Administration ECSEL Joint Undertaking), Michael Wiesmüller (Abteilungsleiter Informations-, industrielle Technologien und Raum- fahrt beim österreichischen Bundesministerium für Verkehr, Innovation und Technologie) und Peter Kaiser (Landeshauptmann des Landes Kärnten).

 Olivier Lambinet, ECSEL Joint Undertaking, Andreas Urschitz, Leiter der Sparte Power Management & Multimarket Infineon Technologies AG, Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende Infineon Technologies Austria AG, Peter Kaiser, Landeshauptmann von Kärnten und Michael Wiesmüller, Bundesministerium für Verkehr, Innovation und Technologie mit einem Galliumnitrid-Wafer.
Olivier Lambinet, ECSEL Joint Undertaking, Andreas Urschitz, Leiter der Sparte Power Management & Multimarket Infineon Technologies AG, Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende Infineon Technologies Austria AG, Peter Kaiser, Landeshauptmann von Kärnten und Michael Wiesmüller, Bundesministerium für Verkehr, Innovation und Technologie mit einem Galliumnitrid-Wafer und einem heimischen Bonsai, der für Klimaschutz und Miniaturisierung, zwei Kernthemen von UltimateGaN, steht.

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